這就是一家騙子公司，沒(méi)有技術(shù)，全靠忽悠，5年內(nèi)，它一定會(huì)現(xiàn)出原形的，立貼為證。

　　該地處于敘利亞庫(kù)帶姆(地名)附近，該國(guó)境內(nèi)流經(jīng)河流有:幼發(fā)拉底河、阿西河、約旦河;①幼發(fā)拉底河，發(fā)源于土耳其亞美尼亞高原，大體上流向?yàn)槲鞅?東南，穿過(guò)敘利亞和伊拉克南部，下游在古爾奈與底格里斯河合流為阿拉伯河，注入波斯灣。幼發(fā)拉底河全長(zhǎng)約2,800公里(1,740哩)，西南亞最大河流。 支流，哈布爾河，幼發(fā)拉底河的重要支流。發(fā)源于土耳其境內(nèi)，流經(jīng)敘利亞?wèn)|北部，在敘利亞的哈塞克接納主要支流杰格杰蓋河南下，在代爾祖爾東南面注入幼發(fā)拉底河。全長(zhǎng)約320公里(200哩)。②奧龍?zhí)厮购右沧g作歐朗提斯河，阿拉伯語(yǔ)稱為阿西河，是中東地區(qū)一條國(guó)際河流。發(fā)源于黎巴嫩的貝卡谷地，向北流經(jīng)敘利亞、土耳其，在土耳其的安塔基亞城西南21公里的蘇維迪耶注入地中海。全長(zhǎng)396公里。 ③約旦河是西亞地區(qū)的一條河流，源于敘利亞境內(nèi)的赫爾蒙(Hermon)山，向南流經(jīng)以色列、巴勒斯坦，在約旦境內(nèi)注入死海，全長(zhǎng)360多公里，它是世界上海拔最低的河。

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我這里有一份。要的話可以給你發(fā)一份。 2011 年 1月 2日 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 關(guān)鍵詞：中國(guó)集成電路現(xiàn)狀 集成電路產(chǎn)業(yè)是知識(shí)密集、技術(shù)密集和資金密集型產(chǎn)業(yè)，世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā) 展迅速，技術(shù)日新月異。2003年前中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)無(wú)論從質(zhì)還是從量來(lái)說(shuō)都不 算發(fā)達(dá)， 但伴隨著全球產(chǎn)業(yè)東移的大潮， 中國(guó)的經(jīng)濟(jì)穩(wěn)定增長(zhǎng)， 巨大的內(nèi)需市場(chǎng)， 以及充裕的人才，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)已然崛起成為新的世界集成電路制造中心。 二十一世紀(jì)， 我國(guó)必須加強(qiáng)發(fā)展自己的電子信息產(chǎn)業(yè)。 它是推動(dòng)我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展， 促進(jìn)科技進(jìn)步的支柱，是增強(qiáng)我國(guó)綜合實(shí)力的重要手段。作為電子信息產(chǎn)業(yè)基 礎(chǔ)的集成電路產(chǎn)業(yè)必須優(yōu)先發(fā)展。只有擁有堅(jiān)實(shí)的集成電路產(chǎn)業(yè)，才能有力地 支持我國(guó)經(jīng)濟(jì)、軍事、科技及社會(huì)發(fā)展第三步發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。 一、我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速 1998 年我國(guó)集成電路產(chǎn)量為 22.2 億塊，銷售規(guī)模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國(guó)集成電路產(chǎn)量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產(chǎn)量 和銷售額分別擴(kuò)大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達(dá)到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)重大變化 2008年是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中出現(xiàn)重大變化的一年。 全球金融危機(jī)不 僅使世界半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退，同時(shí)也使中國(guó)出口產(chǎn)品數(shù)量明顯減少，占中國(guó)出口總 額1/3左右的電子信息產(chǎn)品增速回落，其核心部件的集成電路產(chǎn)品的需求量相應(yīng) 減少。 人民幣升值也是影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)不可忽視的因素， 因?yàn)樵谀壳皣?guó)內(nèi)集成電 路產(chǎn)品銷售額中直接出口占到70%左右， 人民幣升值對(duì)于以美元為結(jié)算貨幣的出 口貿(mào)易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個(gè)百分點(diǎn)，在即將到來(lái)的2011年里，人民幣加速升值值得關(guān) 注。 三、中國(guó)集成電路產(chǎn)品產(chǎn)銷概況 中國(guó)集成電路產(chǎn)品產(chǎn)銷概況 中國(guó)集 2008年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)業(yè)發(fā)展周期性低谷呈現(xiàn)出增速逐季遞減狀態(tài)， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現(xiàn)了未曾有過(guò)的負(fù)增長(zhǎng)局 面；全年集成電路產(chǎn)量為417.14億塊，較2007年僅增長(zhǎng)了1.3%。近幾年我國(guó)集成 電路產(chǎn)品產(chǎn)量和銷售額的情況如圖1和圖2所示： 圖1 2003—2008年中國(guó)集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量增長(zhǎng)情況 圖2 2003—2008年中國(guó)集成電路產(chǎn)品銷售額增長(zhǎng)情況 由上圖可知，最近幾年我國(guó)集成電路產(chǎn)品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因?yàn)樵趪?guó)務(wù)院18號(hào)文件頒布后的五年中，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品銷 售額一直以年均增長(zhǎng)率30%以上的速度上升， 是這個(gè)時(shí)期世界集成電路增長(zhǎng)速度 的3倍，是一種階段性的超高速發(fā)展的狀態(tài)；一般情況下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)年 均增長(zhǎng)率能保持在世界增長(zhǎng)率的1.5倍左右已屬高速發(fā)展，因此，在2007年以后， 我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的年增長(zhǎng)速度逐步減緩應(yīng)屬正常勢(shì)態(tài)， 在世界集成電路產(chǎn)業(yè)周 期性低谷階段，20%左右的年增長(zhǎng)率仍然是難得的高速度。世界經(jīng)濟(jì)從美國(guó)次貸 危機(jī)開(kāi)始逐步向全世界擴(kuò)展，形成金融危機(jī)后又向經(jīng)濟(jì)實(shí)體部門(mén)擴(kuò)散，從2008 年開(kāi)始對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生影響，到第三季度國(guó)際金融危機(jī)明顯爆發(fā)后，中 國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額就出現(xiàn)了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態(tài)。圖3 是這個(gè)變化過(guò)程。 圖3 2006Q1－2008Q4中國(guó)集成電路產(chǎn)品銷售收入及同比(季期)增長(zhǎng)率 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展得益于產(chǎn)業(yè)環(huán)境的改善， 抵御金融危機(jī)的影響政策 十分顯著。2008年1月，財(cái)政部和國(guó)家稅務(wù)總局發(fā)布了《關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu) 惠政策的通知》(財(cái)稅〔2008〕1號(hào))，對(duì)集成電路企業(yè)所享受的所得稅優(yōu)惠十分 重視。日前通過(guò)的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》 ，又把“建立自主可控的集成 電路產(chǎn)業(yè)體系”作為未來(lái)國(guó)內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大重點(diǎn)任務(wù)之一，在五大發(fā)展舉 措中明確提出“加大投入，集中力量實(shí)施集成電路升級(jí)”。2005年由國(guó)務(wù)院發(fā)布的 《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要 (2006━2020年)》(國(guó)發(fā)[2005]44號(hào)),確定 并安排了16個(gè)國(guó)家重大專項(xiàng)，其中把“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件 產(chǎn)品”與“超大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”列在多個(gè)重大專項(xiàng)的前兩位； 2008年4月國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議已審議并原則通過(guò)了這兩個(gè)重大專項(xiàng)的實(shí)施方案，為 專項(xiàng)涉及的相關(guān)領(lǐng)域提供了良好的發(fā)展契機(jī)。 中國(guó)各級(jí)政府對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 的積極支持和相關(guān)政策的不斷落實(shí)， 對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了積極的影 響。 四、中國(guó)集成電路產(chǎn)品需求市場(chǎng) 近些年來(lái)，隨著中國(guó)電子信息產(chǎn)品制造業(yè)的迅速發(fā)展，在中國(guó)市場(chǎng)上對(duì)集成 電路產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出飛速發(fā)展的勢(shì)態(tài)，并成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注點(diǎn)，即使 中國(guó)集成電路產(chǎn)品的需 在國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入低迷并出現(xiàn)了負(fù)增長(zhǎng)的2008年， 求市場(chǎng)仍保持著增長(zhǎng)的勢(shì)頭， 這是由中國(guó)信息產(chǎn)品制造業(yè)的銷售額保持著10%以 上的正增長(zhǎng)率所決定的。 中國(guó)最近幾年的集成電路產(chǎn)品市場(chǎng)需求額變化情況如圖 4所示。 圖4 2004-2008年中國(guó)集成電路市場(chǎng)需求額 五、我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試業(yè)三業(yè)并舉，半導(dǎo)體設(shè)備和材料的研發(fā)水平和生產(chǎn)能 力不斷增強(qiáng)，產(chǎn)業(yè)鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設(shè)計(jì)業(yè)和芯片制造業(yè)的加速發(fā)展， 設(shè)計(jì)業(yè)和芯片制造業(yè)所占比重逐步上升，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐漸趨于合理。 2006年設(shè)計(jì)業(yè)的銷售額為186.2億元， 比2005年增長(zhǎng)49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長(zhǎng)21.2%。芯片制造業(yè)2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長(zhǎng)了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長(zhǎng)又23.0%。 封裝測(cè)試業(yè)2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長(zhǎng)43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長(zhǎng)26.4%。2001年我國(guó)設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)、封測(cè)業(yè)的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別占全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 不盡合理。 最近5年來(lái)， 在產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大的同時(shí)，IC 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐步趨于合理， 設(shè)計(jì)業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著提高。到2007年我國(guó) IC 設(shè)計(jì)業(yè)、芯片 制造業(yè)、封測(cè)業(yè)的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別占全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導(dǎo)體設(shè)備材料的研發(fā)和生產(chǎn)能力不斷增強(qiáng)。 在設(shè)備方面， 65納米開(kāi)始導(dǎo)入生產(chǎn)， 中芯國(guó)際與 IBM 在45納米技術(shù)上開(kāi)展合作，F(xiàn)BP（平面凸點(diǎn)式封裝）和 MCP（多 芯片封裝）等先進(jìn)封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)成功并投入生產(chǎn)，自主開(kāi)發(fā)的8英寸100納米等離 子刻蝕機(jī)和大角度離子注入機(jī)、12英寸硅片已進(jìn)入生產(chǎn)線使用。在材料方面，已 研發(fā)出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)能力和供應(yīng)能力不斷 增強(qiáng)。 但是2008年，國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測(cè)試三業(yè)均不同程度的受 到市場(chǎng)低迷的影響，其中芯片制造業(yè)最明顯，全年芯片制造業(yè)規(guī)模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企業(yè)均出現(xiàn)了產(chǎn)能閑置、業(yè)績(jī)下滑的情 況；封裝測(cè)試業(yè)普遍訂單下降、開(kāi)工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設(shè)計(jì) 業(yè)也受到國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)放緩的影響， 由于重點(diǎn)企業(yè)在技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品創(chuàng)新方 面所做的努力部份地抵御了市場(chǎng)需求不振所帶來(lái)的影響， 全年增速仍保持在正增 長(zhǎng)狀態(tài)，為4.2%，高于國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的整體增幅。如圖5所示。 圖5 2008年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)基本結(jié)構(gòu) 六、集成電路技術(shù)發(fā)展 集成電路技術(shù)發(fā)展 我國(guó)技術(shù)創(chuàng)新能力不斷提高，與國(guó)外先進(jìn)水平差距不斷縮小。從改革開(kāi)放之初 的 3 英寸生產(chǎn)線，發(fā)展到目前的 12 英寸生產(chǎn)線，IC 制造工藝向深亞微米挺進(jìn)， 封裝測(cè)試水平從低端邁向中 研發(fā)了不少工藝模塊， 先進(jìn)加工工藝已達(dá)到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進(jìn)封裝形式的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn) 方面取得了顯著成績(jī)。IC 設(shè)計(jì)水平大大提升，設(shè)計(jì)能力小于等于 0.5 微米企業(yè)比 例已超過(guò) 60%，其中設(shè)計(jì)能力在 0.18 微米以下企業(yè)占相當(dāng)比例，部分企業(yè)設(shè)計(jì) 水平已經(jīng)達(dá)到 100nm 的先進(jìn)水平。設(shè)計(jì)能力在百萬(wàn)門(mén)規(guī)模以上的國(guó)內(nèi) IC 設(shè)計(jì)企 業(yè)比例已上升到 20%以上，最大設(shè)計(jì)規(guī)模已經(jīng)超過(guò) 5000 萬(wàn)門(mén)級(jí)。相當(dāng)一批 IC 已投入量產(chǎn)，不僅滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，有的還進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。 總之，集成電路產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)和現(xiàn)代制造業(yè)的核心戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，其已成為一些 國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)的重中之重。 2011年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將勉勵(lì)更好的發(fā)展環(huán) 境，國(guó)家政府的支持力度將進(jìn)一步增加，新的扶植政策也會(huì)盡快出臺(tái)，支持研發(fā) 的資金將會(huì)增多，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間更為廣闊，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍將保持較快的發(fā) 展速度，占全球市場(chǎng)份額比重必會(huì)進(jìn)一步增大??！ ！ 附錄： 附錄： 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展大事記（摘自網(wǎng)絡(luò)） 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展大事記（摘自網(wǎng)絡(luò)） 1947 年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管。 1956 年，中國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過(guò)還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用 物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開(kāi)發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接 觸二極管和三極管（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打 下了基礎(chǔ)。 1962 年，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開(kāi)始研究采用照相制版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導(dǎo)體研究所召開(kāi)鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并 在國(guó)內(nèi)首先鑒定了 DTL 型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產(chǎn)品。 這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電 路主要以與非門(mén)為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門(mén)、或非門(mén)、或門(mén)、以及與或非電路 等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。 1968 年，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠（878 廠） 、上海無(wú)線電十九廠，至 1970 年建 成投產(chǎn)，形成中國(guó) IC 產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。 1968 年，上海無(wú)線電十四廠首家制成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電 路（MOSIC） 。拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展 MOS 電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研 究所（現(xiàn)電子第 24 所） 、上無(wú)十四廠和北京 878 廠相繼研制成功 NMOS 電路。之 后，又研制成 CMOS 電路。 七十年代初，全國(guó)掀起了建設(shè) IC 生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國(guó)第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。 1973 年，我國(guó) 7 個(gè)單位分別從國(guó)外引進(jìn)單臺(tái)設(shè)備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最后只有北京 878 廠，航天部陜西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功 1000 萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)，所 使用的電路為中國(guó)科學(xué)院 109 廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的 ECL 型（發(fā)射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無(wú)錫的江南無(wú)線電器材廠（742 廠）IC 生產(chǎn)線建成驗(yàn)收投產(chǎn)， 這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)。 1982 年 10 月，國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立 了以萬(wàn)里副總理為組長(zhǎng)的“電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”， 制定了中 國(guó) IC 發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。 1983 年，針對(duì)當(dāng)時(shí)多頭引進(jìn)，重復(fù)布點(diǎn)的情況，國(guó)務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng) 導(dǎo)小組提出“治散治亂”， 集成電路要“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”的發(fā)展戰(zhàn) 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽(yáng)，一 個(gè)點(diǎn)指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門(mén)集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出“七五”期間我國(guó)集 成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣 5 微米技術(shù)，開(kāi)發(fā) 3 微米技術(shù)，進(jìn)行 1 微米技術(shù)科技攻關(guān)。 1989 年 2 月，機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出 了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強(qiáng)科研和支持條件， 振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶 742 電子集團(tuán)公司。 1990 年 10 月，國(guó)家計(jì)委和機(jī)電部在北京聯(lián)合召開(kāi)了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專家參加的座談 會(huì)，并向黨中央進(jìn)行了匯報(bào)，決定實(shí)施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以 CAD 為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開(kāi)展國(guó)際合作，強(qiáng)化投資，加強(qiáng)重點(diǎn)工 程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入良性循環(huán)。 1995 年 10 月，電子部和國(guó)家外專局在北京聯(lián)合召開(kāi)國(guó)內(nèi)外專家座談會(huì)，獻(xiàn) 計(jì)獻(xiàn)策，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11 月，電子部向國(guó)務(wù)院做了專題匯報(bào)， 確定實(shí)施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團(tuán)與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊(cè)資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔(dān)“九 0 九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主體工程華晶項(xiàng)目通過(guò)對(duì)外合同驗(yàn)收，這 條從朗訊科技公司引進(jìn)的 0.9 微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產(chǎn)能力。 1998 年 1 月，中國(guó)華大集成電路設(shè)計(jì)中心向國(guó)內(nèi)外用戶推出了熊貓 2000 系 統(tǒng)，這是我國(guó)自主開(kāi)發(fā)的一套 EDA 系統(tǒng)，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規(guī)模達(dá)百萬(wàn)門(mén)級(jí)，支持高層次設(shè)計(jì)。 1998 年 2 月 28 日，我國(guó)第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個(gè) 項(xiàng)目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心進(jìn)行的。 1998 年 4 月，集成電路“九 0 八”工程九個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)中心項(xiàng)目驗(yàn)收授 牌，這九個(gè)設(shè)計(jì)中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四 研究所、上海集成電路設(shè)計(jì)公司、深圳先科設(shè)計(jì)中心、杭州東方設(shè)計(jì)中心、廣東 專用電路設(shè)計(jì)中心、兵器第二一四研究所、北京機(jī)械工業(yè)自動(dòng)化研究所和航天工 業(yè) 771 研究所。這些設(shè)計(jì)中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目配套建設(shè)的。 1998 年 3 月，由西安交通大學(xué)開(kāi)元集團(tuán)微電子科技有限公司自行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā) 的我國(guó)第一個(gè)-CMOS 微型彩色攝像芯片開(kāi)發(fā)成功，我國(guó)視覺(jué)芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)工作取 得的一項(xiàng)可喜的成績(jī)。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次 從計(jì)劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導(dǎo)產(chǎn)品 64M 同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（S－ DRAM） 這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集 。 成電路芯片生產(chǎn)線。 2000 年 7 月 11 日，國(guó)務(wù)院頒布了《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若 干政策》 隨后科技部依次批準(zhǔn)了上海、西安、無(wú)錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個(gè)國(guó)家級(jí) IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng) 目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)；3 月 28 日，國(guó)務(wù)院第 36 次常務(wù)會(huì)議通過(guò) 了《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號(hào)在中科院計(jì)算所誕生。同年 11 月，中國(guó)電子 科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實(shí)現(xiàn) 了我國(guó)直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國(guó)內(nèi) IC 設(shè)計(jì) 第一股。 2006 年中星微電子在美國(guó)納斯達(dá)克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國(guó)納斯達(dá)克上市。 2008 年《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項(xiàng)規(guī)劃》重點(diǎn)建設(shè)北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)園。